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如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點，最大限度減少了機械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因，以及提高內燃型、混合動力型和全電動型汽車行車安全的需求，市場逐步減少了對汽油的依賴，這正是“數(shù)字化”轉變的驅動力。
現(xiàn)在發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。
近日，亞德諾半導體(Analog Devices,Inc.，簡稱ADI) 旗下凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側N溝道 MOSFET 驅動器LTC7000 -1，該器件采用高達150V的電源電壓工作；其內部充電泵全面強化一個外部N溝道MOSFET開關，因而使之能無限期地保持導通。
安森美半導體通過近期的收購，打造更全面的功率分立器件、IC和模塊產(chǎn)品組合，支持更寬泛的電壓，適用于汽車、工業(yè)、電機控制和 IoT 等行業(yè)。
飛凌科推出兩個高達600V擊穿電壓的系列——600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)。其中，P7具備更高性價比，能夠極大簡化設計，不僅如此與競品相較，樹立了效率標桿。而G7適用于大電流設計，具備較低的導通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG等。
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET，超級結器件具有業(yè)內最低的RDS(ON)*Qg FOM，可用于通信、工業(yè)和企業(yè)應用。
如果對安全工作區(qū)(SOA)沒有足夠的重視，可能帶來的后果是損害甚至破壞熱插拔控制器。事實上MOSFET是熱插拔電路可能出現(xiàn)故障的薄弱環(huán)節(jié)，因而可能會損害甚至破壞熱插拔控制器。在選擇 MOSFET過程中很重要的一環(huán)是，重點考慮電阻 (RDS(on)) 上漏-源極以及最大漏極電流 (ID(max))。又或者，基于負載電容較小的老款設計思路來考慮新設計， MOSFET就 能夠很好的工作。大部分功率 MOSFET 針對低 RDS(on) 和快速開關進行了優(yōu)化，很多電源系統(tǒng)設計師會習慣于根據(jù)這些特性來選擇 MO
應確保選擇 MOSFET 能夠可靠處理熱插拔應用中遇到的壓力，這一點非常重要。
這些新型低電容瞬態(tài)抑制二極管面向移動設備高速接口，可為包括USB 3.0／3.1和HDMI在內的高速接口提供防靜電放電（ESD）和防噪音保護
全新MOSFET利用優(yōu)化其晶粒結構抑制切換時產(chǎn)出之涌浪電壓及振鈴，有效降低電磁干擾(EMI)，此產(chǎn)品之創(chuàng)新研發(fā)已超越目前東芝現(xiàn)有產(chǎn)品。
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