Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為企業(yè)、通信和工業(yè)級(jí)電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
Vishay市場(chǎng)發(fā)展部高級(jí)總監(jiān)David Grey 表示：“我們承諾為客戶提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過(guò)程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統(tǒng)。有了SiHP065N60E和即將發(fā)布的第四代600V E系列產(chǎn)品，我們就可以在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期就實(shí)現(xiàn)提高效率和功率密度的目標(biāo)，包括功率因數(shù)校正和隨后的高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。”
SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻為0.065Ω，柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF，可改善開(kāi)關(guān)性能。在通信、工業(yè)和企業(yè)電源系統(tǒng)的功率因數(shù)校正和硬開(kāi)關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?，這些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。
器件采用TO-220AB封裝，符合RoHS，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式中的過(guò)壓瞬變，而且保證限值通過(guò)了100% UIS測(cè)試。
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