日前英飛凌科推出兩個高達(dá)600V擊穿電壓的系列——600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)。其中，P7具備更高性價比，能夠極大簡化設(shè)計，不僅如此與競品相較，樹立了效率標(biāo)桿。而G7適用于大電流設(shè)計，具備較低的導(dǎo)通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG等。兩個產(chǎn)品系列具備更出色的超結(jié)MOSFET性能，壯大了現(xiàn)有的CoolMOS技術(shù)產(chǎn)品陣容。它們可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。
600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的優(yōu)化組合
新推出的P7目標(biāo)應(yīng)用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務(wù)器、電信和電動汽車充電等，其功率級別從100 W到15 kW不等。在不同的拓?fù)渲校?00 V CoolMOS P7能夠?qū)⒛繕?biāo)應(yīng)用的效率提高1.5%，并且，相比競爭產(chǎn)品而言，工作溫度最多可降低4.2 °C。
表面貼裝(SMD)和通孔封裝型號的導(dǎo)通電阻RDS(on) 范圍均為37 - 600 m?，因此，600 V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應(yīng)用。此外，超過2 kV(HBM)的出色的防靜電能力可保護(hù)器件免受生產(chǎn)中的靜電放電損壞，從而有效提高制造品質(zhì)。最后，堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護(hù)器件。
600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：一流的FOM采用創(chuàng)新型無引線SMD TO封裝
G7較低的導(dǎo)通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG，同時存儲于輸出電容的能量減少，并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗，并將性能提升0.6%，同時提高PFC電路的滿載效率。G7只有1 nH的極低源極寄生電感,也有助于提高效率。
G7采用無引線TO封裝，熱性能得以改善，適用于大電流的設(shè)計，同時SMD工藝有助于降低安裝成本。此外，600 V G7具備業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻RDS(on) ，從28 m?到150 m?不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務(wù)器、電信、工業(yè)和太陽能等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標(biāo)桿的理想選擇。
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