東芝(Toshiba) 半導(dǎo)體與儲存產(chǎn)品公司新推出U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產(chǎn)品U-MOS9，具備低導(dǎo)通電阻和高速特性，全新結(jié)構(gòu)有效降低“RDS(ON) Qsw，藉由降低輸出電荷以改善輸出時所產(chǎn)生之損耗，有助提高產(chǎn)品效率。
 
　　新產(chǎn)品采用東芝低電壓最新世代溝槽結(jié)構(gòu)的U-MOS九代制程，較前一代制程可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻及高速效率；此外，全新MOSFET利用優(yōu)化其晶粒結(jié)構(gòu)抑制切換時產(chǎn)出之涌浪電壓及振鈴，有效降低電磁干擾(EMI)，此產(chǎn)品之創(chuàng)新研發(fā)已超越目前東芝現(xiàn)有產(chǎn)品。
 
　　東芝表示，全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET系列有13個40V與5個45V產(chǎn)品是專為工業(yè)及消費性產(chǎn)品應(yīng)用所設(shè)計，包含：高效率直流-直流轉(zhuǎn)換器、高效率交流-直流轉(zhuǎn)換器，電源供應(yīng)器和馬達驅(qū)動器。
 
　　新系列MOSFET的低導(dǎo)通電阻表現(xiàn)為RDS(ON)=0.80mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPWR8004PL)；RDS(ON)=0.99 mΩ (max) ＠VGS= 10V (TPW1R005PL)，同時具有低輸出電荷、高速、低切換雜訊、提供4.5V邏輯準位驅(qū)動等特性。