5月30日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了1bnm的開發(fā)，這是10納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的DDR5產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。
海力士的DRAM開發(fā)主管Jonghwan Kim說(shuō)，1bnm將在2024年上半年被LPDDR5T和HBM3E等產(chǎn)品所采用。
英特爾內(nèi)存和IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保DDR5內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士1bnm是其中第一個(gè)針對(duì)下一代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)和英特爾數(shù)據(jù)中心認(rèn)證內(nèi)存程序的一代產(chǎn)品。
?與此同時(shí)，海力士還表示，應(yīng)用于下一代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)的1anm DDR5（其中第一個(gè)兼容性測(cè)試已經(jīng)完成）也正在進(jìn)行中。
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