在 HotChips 33 大會上，三星確認(rèn)正在開發(fā)具有 8 層 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 內(nèi)存模塊，是 DDR4 內(nèi)存容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 內(nèi)存模塊是可能實現(xiàn)的。
通過優(yōu)化封裝，三星的 DDR5 內(nèi)存模塊高度將低于 DDR4 4 層內(nèi)存。由于管芯之間的間隙更小(減少 40%)以及通過實施薄晶圓處理技術(shù)，高度的降低成為可能。重要的是，8 層 TSV 模塊將提供更好的散熱。
三星預(yù)計 DDR5 內(nèi)存將提供比 DDR4 提升 85% 的性能，提供高達(dá) 7.2 Gbps 的帶寬，以及高達(dá) 512GB 的雙倍容量。同時，新模塊將具有更低的 1.1V 電壓，提高電源效率。
三星表示，預(yù)計到 2023/2024 年能夠向主流市場提供該 DDR5 內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心市場的產(chǎn)品將更快推出，計劃在今年年底前生產(chǎn) 512GB 內(nèi)存模塊。
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