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第三代半導體發(fā)展計劃預計10月公布

與第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有強大的功率處理能力、較高的開關頻率、更高的電壓驅動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力。
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  有消息指出,中國正在制定在十四五規(guī)劃期間的第三代半導體發(fā)展計劃,預計該計劃在2020年10月公布。

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  與第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有強大的功率處理能力、較高的開關頻率、更高的電壓驅動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力。

  根據(jù)法國半導體市場調查公司Yole數(shù)據(jù),到2024年SiC功率半導體市場規(guī)模將增長至20億美元,其中,汽車市場占SiC功率半導體市場比重到2024年預計將達50%。

  盤面上,聚燦光電漲逾15%,易事特、乾照光電、賽微電子等個股跟漲。

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