隨著中美科技較量短兵相接，兩會(huì)上代表委員們關(guān)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的提案和建議備受矚目。其中民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動(dòng)中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。
提案表示，近年來，國家出臺(tái)了一系列政策措施支持和推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域呈現(xiàn)多點(diǎn)開花的良好形勢(shì)。
隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國芯”的最好突破口。
為此，建議：
一、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān)，立項(xiàng)支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計(jì)和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)及批量制造工藝技術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn)，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。
二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)看，碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。目前碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)處于起步階段，國內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車。
一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國家計(jì)劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來的應(yīng)用需求，進(jìn)行前瞻性布局。推動(dòng)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題，在國際競(jìng)爭中搶占先機(jī)。
三是要避免對(duì)新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。
三、謹(jǐn)慎支持收購國外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過收購很難實(shí)現(xiàn)完全學(xué)會(huì)和掌握國際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及制造工藝技術(shù)，同時(shí)海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險(xiǎn)。
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