AI技術(shù)的快速發(fā)展有望改善醫(yī)療保健、交通運(yùn)輸?shù)榷鄠€(gè)領(lǐng)域，但其巨大潛力的發(fā)揮要以足夠的算力為基礎(chǔ)，隨著AI數(shù)據(jù)集越來(lái)越大，計(jì)算機(jī)需要有更強(qiáng)大的內(nèi)存支撐。理想情況下，支持AI的存儲(chǔ)設(shè)備不僅要有與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）一樣快的速度，還要有類(lèi)似于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）或閃存的存儲(chǔ)容量，更重要的是，它耗能要低。但目前還沒(méi)有滿足所有這些需求的存儲(chǔ)技術(shù)，這導(dǎo)致了所謂的“內(nèi)存瓶頸”，嚴(yán)重限制了當(dāng)前AI的性能及應(yīng)用。
為此，美國(guó)西北大學(xué)和意大利墨西拿大學(xué)的研究人員合作，將目標(biāo)瞄向了反鐵磁材料。反鐵磁材料依靠磁性的有序自旋來(lái)完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所存數(shù)據(jù)也無(wú)法被外部磁場(chǎng)擦除。因其快速安全、耗能低，被視為存儲(chǔ)設(shè)備的潛力材料，而如何控制材料內(nèi)部磁序則成為目前的一個(gè)研究難點(diǎn)。
在新研究中，團(tuán)隊(duì)使用了柱狀反鐵磁材料，這是以前科學(xué)家從未探索過(guò)的幾何形狀。研究表明，生長(zhǎng)在重金屬層上的、直徑低至800納米的反鐵磁鉑錳（PtMn）柱，通過(guò)極低電流后可以在不同的磁態(tài)之間可逆地轉(zhuǎn)換。通過(guò)改變寫(xiě)入電流的振幅，即可實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)特性。
研究人員指出，基于反鐵磁鉑錳柱制成的存儲(chǔ)器件僅為現(xiàn)有的基于反鐵磁材料存儲(chǔ)設(shè)備的1/10，而更重要的是，新型器件的制造方法與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造規(guī)范兼容，這意味著存儲(chǔ)設(shè)備制造商可以輕松采用新技術(shù)，而無(wú)需購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備。
研究人員還指出，新型磁存儲(chǔ)器件很小，耗能很低，有望使反鐵磁存儲(chǔ)器走向?qū)嶋H應(yīng)用，并幫助解決AI的“內(nèi)存瓶頸”問(wèn)題。目前，他們正努力尋求進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸，改善數(shù)據(jù)寫(xiě)入耗能的方法，以盡快將新技術(shù)投入實(shí)際應(yīng)用。
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