根據(jù)天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%。
據(jù)悉，山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。
據(jù)資料顯示，華為哈勃投資的山東天岳公司成立于2011年12月，是全球第4家碳化硅襯底材料量產(chǎn)的企業(yè)，同時具備了導(dǎo)電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。2016年，山東天岳“寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項目”被國家發(fā)展改革委納入《國家集成電路“十三五”重大生產(chǎn)力布局》項目。
今年二月，山東天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目正式開工。
據(jù)了解，天岳的碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目是濟南2019年市級重點項目之一，該項目總投資65000萬元，項目總占用廠房面積為2400平方米，主要將建設(shè)碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動汽車驅(qū)動模塊生產(chǎn)線各一條，利用廠區(qū)原有廠房的空置區(qū)域建設(shè)。
據(jù)山東天岳官方消息，本項目以硅烷和甲烷在氫氣和氬氣條件下制得SiC襯底外延片后，經(jīng)掩膜淀積、光刻、顯影、灰化、刻蝕和檢驗封裝等工序，生產(chǎn)SiC MOSFET晶體管，設(shè)計年生產(chǎn)規(guī)模為400萬只/年；以碳化硅外延材料為原料，經(jīng)晶圓標記、離子注入、廠板淀積、歐姆接觸、肖特基電極、鈍化層制備等工序，生產(chǎn)SiC功率二極管，設(shè)計年生產(chǎn)規(guī)模為1200萬只/年；以碳化硅芯片為原料，經(jīng)焊接、清洗、鋁引線鍵合灌封硅凝膠等工序，生產(chǎn)碳化硅電動汽車驅(qū)動模塊，設(shè)計年生產(chǎn)規(guī)模為1萬只/年。
至于哈勃科技投資有限公司，今年四月，來自啟信寶數(shù)據(jù)顯示，華為新成立了一家投資公司，名為哈勃科技投資有限公司。這家公司注冊資本為7億元人民幣，由華為投資控股有限公司100%控股。哈勃科技投資有限公經(jīng)營范圍是創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務(wù)，法定代表人、董事長以及總經(jīng)理均為白熠，他同時擔任華為全球金融風險控制中心總裁。
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