大連理工大學黃輝教授團隊研發(fā)了無漏電流“納米線橋接生長技術”，解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題，制備出高可靠性(8個月電阻變化率<0.8%)、低功耗(可室溫工作)及高靈敏度(NO2檢測限0.5ppb)的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應力應變檢測等，實驗結果發(fā)表在國際納米領域頂級期刊“Nano Letters” 。
據介紹，黃輝團隊首次研究了納米線橋接生長中的寄生沉積效應，發(fā)明了一種結合氣流遮擋效應與表面鈍化效應的橋接生長方法，解決了寄生沉積問題；并首次實現(xiàn)了“無漏電流”的GaN橋接納米線，在此基礎上研制出高穩(wěn)定性、低功耗以及高靈敏度的集成納米線氣體傳感器。
值得一提的是，GaN材料是第三代半導體，具有優(yōu)異的穩(wěn)定性(耐高溫、抗氧化、耐酸堿腐蝕)和生物兼容性，適用于嚴酷環(huán)境下的應力應變以及液體和氣體樣品的檢測(實驗證明氫氟酸腐蝕48小時未對GaN納米線產生影響)，應用領域非常廣泛。該技術將推動傳感芯片的發(fā)展。
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