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恒憶專為日本市場開發(fā)閃存

資訊頻道文章B

瑞士恒憶(Numonyx B.V.)發(fā)布了專為日本娛樂市場開發(fā)的閃存新產(chǎn)品“Numonyx StrataFlash H33”。在記者會上,該公司嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理(Vice President and General Manager Embedded Business Group)Glen Hawk表示,“對我們來說,這是專門面向日本市場開發(fā)的第一款產(chǎn)品。本公司成立僅半年,就查明了日本顧客的需求并投放了產(chǎn)品。我們正在努力成為在日本最強(qiáng)的存儲器廠商”


該公司根據(jù)日本的柏青哥(Pachinko)和老虎機(jī)(Slot Machine)市場,精細(xì)調(diào)整了Numonyx StrataFlash H33的技術(shù)指標(biāo)。具體來講,其有以下五個特點(diǎn)。


第一,把內(nèi)核部分和輸入輸出部分的工作電壓均設(shè)定為3.3V。面向手機(jī)等的現(xiàn)有產(chǎn)品的電壓多為1.8V,而此次,用于柏青哥等的芯片組支持使用3.3V電壓。第二,提供總線寬度為16位和32位的產(chǎn)品。按芯片組的不同,分為只支持16位產(chǎn)品的種類和只支持32位產(chǎn)品的種類。第三,支持最大8Gbit的存儲量。最近的柏青哥等游戲中,為了處理高精細(xì)的圖形和數(shù)據(jù),要求配備大容量的非易失性存儲器。第四,備有70端子的SSOP、80端子的LGA以及BGA等多種封裝(插座)以供選擇。第五,為符合嚴(yán)格的質(zhì)量要求,實(shí)現(xiàn)了低DPM(Defects Per Million)。


關(guān)于Numonyx StrataFlash H33,目前已開始提供測評用樣品,計劃于2008年12月開始大量生產(chǎn)。將使用65nm工藝的半導(dǎo)體技術(shù)制造,并將采用每個存儲單元存儲2bit信息的MLC(Multi-level Cell)技術(shù)。

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