隨著半導體資本支出在今年上半年大幅增加，IC Insights將2017年度的半導體資本支出預測提高至809億美元，較2016年的673億美元增長20%，同時創(chuàng)下了歷年新高；其中增長幅度最大的產品類別是DRAM，預估2017資本支出將激增53%。
晶圓代工今年資本支出約228億美元，將較去年略增4%，是半導體資本支出金額最多的領域，所占比重將達28%。其次是NAND閃存，2017年預計支出190億美元，同比增長33%，占比24%。而其中增幅最高的是DRAM，預計今年資本支出金額達130億美元，同比增長達53%。
隨著DRAM價格自2016年三季度以來大幅上漲，DRAM廠商再次加大了資本支出。然而，盡管主要支出都用于投資在先進技術，但DRAM生產商海力士(SK Hynix)最近也承認僅靠技術進步就無法滿足需求，需要增加晶圓產生。
圖：2017半導體資本支出產品類別。(IC Insights)
在閃存方面，2017年閃存的所有資本支出都將投資在先進的3D NAND處理技術，包括三星(Samsung)在韓國平澤(Pyeongtaek)的新晶圓廠在內，也將投入3D NAND的生產。
雖然今年度半導體資本支出預期將創(chuàng)下新高，特別是內存部份增長都創(chuàng)新記錄，但內存市場的歷史表明，過多支出通常會導致產能過剩和隨之而來的價格下跌。隨著三星、海力士、美光(Micron)、英特爾(Intel)、東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND閃存容量（新中國制造商可能進入市場），IC Insights也提醒未來NAND閃存市場風險也正日益增長。
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