目前全球內(nèi)存市場持續(xù)高燒，其中Flash缺貨情況比DRAM更為嚴重，三星電子于5月29日表示，正在考慮擴大其中國制造基地的存儲器芯片產(chǎn)能，并計劃投89億美元擴產(chǎn)西安3D NAND廠，專注生產(chǎn)較低端芯片，多數(shù)供應中國手機市場，而韓廠將專注于生產(chǎn)高端芯片。三星預估投產(chǎn)時間落為2019年，與大陸內(nèi)存廠產(chǎn)出的時間相近，是否會引發(fā)市場供需陷入供過于求?
三星發(fā)言人稱，正在考慮擴大西安工廠的產(chǎn)能，但具體細節(jié)還未確定，包括可能的投資規(guī)模以及新增產(chǎn)能將用于生產(chǎn)哪些產(chǎn)品。內(nèi)存業(yè)界指出，各家原廠3D NAND Flash逐步開出，但預期今年內(nèi)供需失衡的情況仍難以完全改善，所以整體市況仍偏向樂觀。
消息人士稱，三星與當?shù)卣M行協(xié)商最后階段。 很可能在9月動工。 三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線是在2014年興建，月產(chǎn)12萬片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，產(chǎn)量將達20萬片。
三星此前已在西安工廠投資70億美元生產(chǎn)3D NAND存儲器芯片，現(xiàn)在計劃讓位于韓國京畿道平澤市的全新NAND芯片廠自6月啟動營運，月產(chǎn)能可達20萬片。
消息人士還稱，三星大陸廠將生產(chǎn)較低端芯片，多數(shù)供應中國手機市場，而韓廠將專注于生產(chǎn)高端芯片。
由于用戶對消費電子產(chǎn)品處理能力的需求不斷增長，以及隨著技術越來越復雜，投資的生產(chǎn)收益下降，預計三星等存儲器芯片公司將在2017年錄得創(chuàng)紀錄的營收和利潤。市場研究公司IHS預計，今年的存儲器行業(yè)收入將躍升32%至創(chuàng)紀錄的1，040億美元。
業(yè)界高管和分析師表示，3D NAND供應商2017年全年可能難以滿足客戶的訂單。三星提高資本支出增產(chǎn)3D NAND Flash，預估投產(chǎn)時間落為2019年，與大陸內(nèi)存廠產(chǎn)出的時間相近，是否會引發(fā)市場供需陷入供過于求，目前還難斷定。
群聯(lián)電子董事長潘健成表示，3D NAND工藝難度高，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產(chǎn)能仍無法供應，因此預料三星增產(chǎn)3D NAND芯片，應是看好在3D NAND芯片取得較佳機會。
潘健成認為，至少二年內(nèi)，NAND芯片會一直缺貨，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。
此外，三星資本支出集中增產(chǎn)3D NAND Flash，目前雖未有增產(chǎn)DRAM計劃，但對DRAM廠而言，仍將處于供需平衡階段。 業(yè)界評估，DRAM價格漲勢已逐漸到達臨界點，渠道商也已建立一定的庫存，因此或許后續(xù)第3季的價格就會開始盤整。
南亞科則估計，今年DRAM也是處于缺貨的一年，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%，預料進入傳統(tǒng)備貨旺季，DRAM價格會再看漲。
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