Pasternack公司新推出采用砷化鎵(GaAs) HBT MMIC半導(dǎo)體技術(shù)的新款低相位噪聲放大器，能在寬動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)提供超低相位噪聲性能。這些放大器可用于幫助優(yōu)化高性能測試、雷達(dá)及通信接收機(jī)設(shè)計(jì)的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，而這些測試和設(shè)計(jì)性能的優(yōu)劣主要取決于對(duì)最大及最小信號(hào)的處理有效性。

　　針對(duì)需要對(duì)接近本底噪聲的較弱信號(hào)進(jìn)行放大的系統(tǒng)，此類放大器的低相位噪聲性能有助于降低對(duì)發(fā)射信號(hào)的質(zhì)量具有抑制作用的非所需噪聲和失真。此類放大器的典型用途包括電子戰(zhàn)，微波無線電，甚小孔徑終端(VSAT)，雷達(dá)，空間系統(tǒng)，測試儀器和電信基礎(chǔ)設(shè)施。

　　新型低相位噪聲放大器分為五種型號(hào)，覆蓋1.5~18GHz范圍內(nèi)的精選頻段，10KHz偏移量下的殘余相位噪聲低至-180dBc/Hz。這些新產(chǎn)品的其他性能規(guī)格參數(shù)包括：9~14dB的小信號(hào)增益;典型噪聲系數(shù)為5.5dB;飽和功率(Psat)水平為+16~+25dBm;輸出IP3水平高達(dá)+34dBm;所有產(chǎn)品均采用單路直流電壓供電;輸入/輸出射頻端口通過隔直電容實(shí)現(xiàn)50奧姆內(nèi)部匹配。

　　此外，上述產(chǎn)品均為無需添設(shè)外部組件的小巧模塊組合體，而且采用耐用的插入式可伐合金(Kovar)金屬封裝。此類封裝鍍有金包鎳層，而且支持可現(xiàn)場更換SMA連接器。另外，這些產(chǎn)品還均為EAR99類產(chǎn)品，且保證滿足MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)的密封性和溫度循環(huán)測試條件。