今年初宣布其固態(tài)硬盤(SSD)控制芯片取得BiCS3測試驗(yàn)證的群聯(lián)電子(Phison)，日前再推出PS8131內(nèi)存控制芯片，與前一代2D NAND版本相比，這款可搭載東芝64層垂直存儲(chǔ)、3D NAND ( BiCS3)技術(shù)之SD 5.1 A1規(guī)范兼容的MaxIOPS系列內(nèi)存卡控制芯片效能速度要快上二倍。
PS8131提供高于前一代產(chǎn)品2倍的隨機(jī)寫入速度 (從 500 IOPS 提升至 1300 IOPS)，并強(qiáng)化了控制芯片的硬件及韌體架構(gòu)，而且不僅能兼容于目前的Android Marshmallow操作系統(tǒng)，還能支持最新的Nougat操作系統(tǒng)，與智能行動(dòng)裝置的內(nèi)存透過嵌入式擴(kuò)展存儲(chǔ)功能 (Adoptable storage function)的整合運(yùn)作，讓終端使用者能有更高的內(nèi)存存儲(chǔ)容量可以使用，提升用戶經(jīng)驗(yàn)。
在技術(shù)發(fā)展上，PS8131支持群聯(lián)電子自主開發(fā)的最新科技StrongECC糾錯(cuò)技術(shù)，因此不但具備精簡及低功耗的設(shè)計(jì)特性，也提升了3D NAND Flash的可靠度，且預(yù)計(jì)于今年上半年開始出貨搭載具備東芝(Toshiba)64層垂直存儲(chǔ)的 3D NAND ( BiCS3)的高容量存儲(chǔ)解決方案，而PS8131容量支持將從32G至256GB皆可達(dá)到優(yōu)化表現(xiàn)。
另方面，PS8131符合目前最新的SD 5.1 A1 規(guī)范 (Application Performance Class)，具備超高性能，表現(xiàn)在Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+ 輕松達(dá)到2000/1300， 遠(yuǎn)高于SD 5.1 A1 規(guī)范的1500/500，不但能為Android 7.0 / 6.0裝置的用戶提供即刻擴(kuò)充內(nèi)部內(nèi)存容量的便利性，能更好地與行動(dòng)裝置內(nèi)存整合運(yùn)作，將行動(dòng)裝置用戶體驗(yàn)提升到全新水平，以滿足日益增加的高容量移動(dòng)存儲(chǔ)需求的智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等新一代行動(dòng)裝置擴(kuò)充內(nèi)存的需求。
群聯(lián)表示，取得BiCS3測試驗(yàn)證象征著該公司已為迎接由東芝主導(dǎo)的3D NAND Flash時(shí)代做好準(zhǔn)備。群聯(lián)是東芝的合作伙伴，有鑒于日本東芝將持續(xù)推升48層、64層等次世代3D NAND Flash先進(jìn)制程技術(shù)，并預(yù)計(jì)于今年新推出3D NAND Flash高容量BiCS3芯片，群聯(lián)電子相關(guān)SSD控制芯片產(chǎn)品搶在今年首季取得BiCS3測試驗(yàn)證，以預(yù)作準(zhǔn)備。
目前群聯(lián)電子的SSD控制芯片主要產(chǎn)品包括有PS3110- S10(簡稱S10)、PS3111- S11(簡稱S11)，皆已于今年2月份正式取得BiCS3驗(yàn)證，因此在可預(yù)見的未來里，一旦NAND Flash制造原廠日本東芝正式推出BiCS3芯片，群聯(lián)電子的S10、S11即可進(jìn)行搭載設(shè)計(jì)取得市場先機(jī)，為日本東芝擴(kuò)大3D NAND Flash的市場版圖增添新動(dòng)能。
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