800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這個新基準源于一系列優(yōu)化器件參數(shù)，包括Eoss和Qg降低50%以上，以及降低Ciss和Coss。這些出色的性能優(yōu)化可以降低開關(guān)損耗,改善DPAK封裝能實現(xiàn)的最低 RDS(on)值，從而實現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計?？偠灾?，這有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。
易用性是這個產(chǎn)品家族從設(shè)計上就實現(xiàn)的固有特性。其集成式齊納二極管可大幅提升靜電防護能力，從而減少與靜電放電有關(guān)的產(chǎn)量損失。這個MOSFET擁有行業(yè)領(lǐng)先的高達3 V的V(GS)th和僅±0.5 V的最小VGS(th)波動范圍。這個組合不僅可以降低驅(qū)動電壓和開關(guān)損耗,還它有助于避免線性區(qū)內(nèi)發(fā)生意外操作。
a&s傳媒是全球知名展覽公司法蘭克福展覽集團旗下的專業(yè)媒體平臺，自1994年品牌成立以來，一直專注于安全&自動化產(chǎn)業(yè)前沿產(chǎn)品、技術(shù)及市場趨勢的專業(yè)媒體傳播和品牌服務(wù)。從安全管理到產(chǎn)業(yè)數(shù)字化，a&s傳媒擁有首屈一指的國際行業(yè)展覽會資源以及豐富的媒體經(jīng)驗，提供媒體、活動、展會等整合營銷服務(wù)。
粵公網(wǎng)安備 44030402000264號
