存儲(chǔ)原理：由觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；
單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成；
優(yōu)點(diǎn)：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache；
缺點(diǎn)：元件數(shù)多、集成度低、功耗大；
常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)。
2．動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元（DRAM）
存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現(xiàn)在：單管基本單元）；
刷新(再生)：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，必須定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作；
刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間必須小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）；
優(yōu)點(diǎn)：集成度遠(yuǎn)高于SRAM、功耗低，價(jià)格也低；
缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。盡管如此，由于DRAM[1]存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
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