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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎

安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎
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  2024年12月6日 - 智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎,彰顯其在車用領域的卓越表現(xiàn)和領先地位。同期,安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎,基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。

  作為全球領先的汽車半導體供應商,安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個汽車電子細分領域繼續(xù)推出了業(yè)界領先產(chǎn)品,例如最新一代EliteSiC M3e MOSFET 以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗,與前幾代產(chǎn)品相比,該平臺能夠將導通損耗降低30%,并將關斷損耗降低多達50%,使其成為汽車電氣化應用的首選技術;Hyperlux?系列圖像傳感器可以應用于前視、側視、后視、環(huán)視攝像頭系統(tǒng),該系列產(chǎn)品擁有2.1μm像素尺寸,領先業(yè)界的150dB超高動態(tài)范圍和減少LED閃爍功能,支持向L2+級自動駕駛的平穩(wěn)過渡,超低功耗、小尺寸助力邁向交通傷亡“零愿景”。

  同期獲得年度最佳功率半導體獎的安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊以卓越的功率密度行業(yè)領先,提供比同類產(chǎn)品高10%的輸出功率,應用于150千瓦的逆變器中時,QDual3模塊的損耗比同類最接近的競品降低200瓦,從而大大縮減散熱器的尺寸,非常適合用于大功率變流器,例如太陽能發(fā)電站中央逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛(CAV)和工業(yè)電機驅動器。

  亞洲金選獎作為工程師信賴的選擇,提供年度榜單,是最佳設計解決方案的指南。此次安森美再獲其金選車用電子解決方案供應商獎,是亞洲汽車行業(yè)對安森美推動汽車電氣化和智能化變革實力的再次認可。而第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲獎,體現(xiàn)了安森美在新能源功率半導體領域的持續(xù)技術創(chuàng)新,助力客戶實現(xiàn)更高能效的太陽能電池組、工業(yè)電源和儲能系統(tǒng),響應全球對節(jié)能減排和可持續(xù)發(fā)展的需求。


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