來自外媒的消息顯示，電子器件工程聯(lián)合會（JEDEC）剛剛修訂了 JESD253 高帶寬顯存（HBM）標準，剔除了一些舊的數(shù)字。
據(jù)介紹，修訂后的 JESD253B 新標準，已支持多達 12 層的硅通孔（TSV）堆棧，傳輸速率提升至 307 GB/s，遠高于舊標準的 256GB/s 。JESD235B 標準使用與前一版相同的 1024 位總線，但每個引腳的帶寬提升至 2.4Gb/s 。而在制作符合 JESD235B 標準的 HBM 堆棧的過程中，RAM 制造商可以選擇 2、4、8、12 層 TSV 。
JESD235B新標準改進的層數(shù)和配置，意味著更大的靈活性，使內(nèi)存制造商能夠輕松搭建 24GB 的單片 HBM 堆棧。盡管JEDEC 沒有在新聞稿中披露誰將使用這些芯片的更多細節(jié)，但前景顯然是相當誘人的。
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