西部數(shù)據(jù)日前發(fā)布了一款極為特殊的內(nèi)存擴(kuò)展硬盤(Memory Expansion Drive)——Ultrastar DC ME200硬盤。該硬盤采用標(biāo)準(zhǔn)的U.2驅(qū)動(dòng)盤或者PCI-E半高半長(zhǎng)擴(kuò)展卡樣式，支持PCI-E 3.0 x4、NVMe，但內(nèi)部不是傳統(tǒng)NAND閃存芯片，而是DRAM內(nèi)存芯片，4U服務(wù)器下最多可以擴(kuò)展96TiB的內(nèi)存。
據(jù)介紹，西數(shù)Ultrastar DC ME200硬盤主要用于數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)，其目標(biāo)就是減少傳統(tǒng)內(nèi)存、增加Ultrastar DC ME200硬盤來實(shí)現(xiàn)容量大幅增長(zhǎng)、TCO總成本降低。
西數(shù)表示，它可以在減少傳統(tǒng)內(nèi)存配置的情況下獲得大內(nèi)存容量，同時(shí)降低TCO總體成本，比如一臺(tái)1.5TB內(nèi)存的傳統(tǒng)服務(wù)器，換用這種硬盤可將內(nèi)存提升到2TB，并將成本降低25％，而同樣成本下內(nèi)存容量可以翻番到3TB。
同時(shí)得益于DRAM顆粒的使用，Ultrastar DC ME200硬盤在可靠性方面要比NAND SSD高太多，寫入壽命是PWB級(jí)別的，4TB就可以終生寫入78PBW(78000TBW)，并有三年質(zhì)保，算下來每天可以接近18次全盤寫入。
不過根據(jù)西數(shù)公布的測(cè)試顯示Ultrastar DC ME200內(nèi)存硬盤性能雖然會(huì)下降，但是內(nèi)存+Ultrastar DC ME200硬盤的組合的總性能降幅也就是100%減少到91%或者85%，具體取決于配置情況。
目前西數(shù)已開始出樣Ultrastar DC ME200，但具體價(jià)格暫未公布。
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