SATA作為硬盤接口已經(jīng)存在了長(zhǎng)達(dá)十幾年的時(shí)間。最新一個(gè)版本的SATA 6Gbps（SATA Revision 3.0）也誕生于8年前，在M.2、U.2等接口層出不窮的現(xiàn)在，SATA已經(jīng)垂垂老矣，面對(duì)新型3D閃存技術(shù)，不管是讀寫帶寬還是響應(yīng)延遲表現(xiàn)都力有不逮。
據(jù)說(shuō)Forward Insights預(yù)計(jì)，未來(lái)幾年服務(wù)器越來(lái)越多地采用固態(tài)硬盤來(lái)提升性能，但從明年起其中的SATA固態(tài)硬盤數(shù)量即將步入下行通道。那么新的固態(tài)硬盤該如何選呢？
東芝在1987年發(fā)明NAND閃存。多年來(lái)閃存通過(guò)縮小制造工藝和工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)增加容量，這一技術(shù)路線最終遇到了各種挑戰(zhàn)。直到2007年，東芝在世界上首個(gè)宣布三維（3D）閃存堆疊技術(shù)，通過(guò)進(jìn)一步開發(fā)，推出3D閃存：BiCS Flash。
BiCS 3D閃存通過(guò)垂直堆疊提升了存儲(chǔ)容量與存儲(chǔ)密度，在滿足企業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量需求的同時(shí)，提供快速編程速度和更高的可靠性。
在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域，SAS接口固態(tài)硬盤正取代SATA成為新的性價(jià)比甜點(diǎn)，而NVMe技術(shù)則被廣泛應(yīng)用于高性能數(shù)據(jù)中心。下圖為SAS接口的東芝RM5企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤和U.2接口NVMe協(xié)議的CD5企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。
同樣的BiCS三維閃存技術(shù)也被應(yīng)用到適合個(gè)人家庭用戶使用的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品當(dāng)中，配合先進(jìn)的NVMe協(xié)議以實(shí)現(xiàn)更高的存取效能。
東芝RC100創(chuàng)新性的采用了主控與閃存多芯片融合封裝技術(shù)，在單個(gè)芯片中提供高達(dá)480GB的存儲(chǔ)容量，而自身僅需M.2 2242的迷你體積，BiCS三維閃存在其中發(fā)揮了重要的作用。
M.2 NVMe不僅釋放了SATA 6Gbps接口的順序讀寫帶寬瓶頸，同時(shí)還將SATA接口下AHCI協(xié)議的延遲降低了一個(gè)維度。
除了理論帶寬與延遲上的差異之外，SATA和NVMe還有本質(zhì)上的差別。傳統(tǒng)的SATA實(shí)際采用半雙工的工作模式，不能在同時(shí)進(jìn)行讀取和寫入。在多任務(wù)環(huán)境下容易產(chǎn)生沖突而降低效能表現(xiàn)。
SAS以及M.2 NVMe接口則具備全雙工通信能力，應(yīng)付實(shí)際使用環(huán)境下同時(shí)出現(xiàn)的讀取和寫入操作更加輕松。
在BiCS 3D閃存、NVMe協(xié)議、HMB主機(jī)內(nèi)存加速等諸多先進(jìn)特性的加持下，東芝RC100能夠提供遠(yuǎn)比SATA固態(tài)硬盤更強(qiáng)的性能。而作為一款普及型NVMe固態(tài)硬盤，RC100還提供具有吸引力的價(jià)格和閃存原廠保修服務(wù)，成為后SATA時(shí)代家用電腦的理想升級(jí)選擇。
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