西部數(shù)據(jù)公司今日宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術(shù)BiCS3,具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數(shù)據(jù)公司與制造商東芝公司聯(lián)合開發(fā),初步的閃存容量為256GB,且在單芯片上的容量最高可達(dá)0.5TB。目前,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其位于日本四日市的合資企業(yè)開始試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年晚些時候完成初產(chǎn)。公司計(jì)劃在2017年上半年開始商業(yè)化量產(chǎn)。
西部數(shù)據(jù)公司今日宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術(shù)BiCS3,具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數(shù)據(jù)公司與制造商東芝公司聯(lián)合開發(fā),初步的閃存容量為256GB,且在單芯片上的容量最高可達(dá)0.5TB。目前,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其位于日本四日市的合資企業(yè)開始試產(chǎn),預(yù)計(jì)今年晚些時候完成初產(chǎn)。公司計(jì)劃在2017年上半年開始商業(yè)化量產(chǎn)。
西部數(shù)據(jù)存儲技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram先生表示:“在我們64位架構(gòu)基礎(chǔ)上發(fā)布下一代3D NAND技術(shù),將增強(qiáng)我們在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。BiCS3采用了3位元型技術(shù),并在高深寬比半導(dǎo)體處理上實(shí)現(xiàn)進(jìn)展,能夠以更優(yōu)成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。這項(xiàng)技術(shù)與BiCS2一道,大幅擴(kuò)寬了我們的3D NAND產(chǎn)品組合,提升了我們滿足零售、移動和數(shù)據(jù)中心整體客戶應(yīng)用需求的能力。”
西部數(shù)據(jù)希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3,本季度開始OEM取樣檢驗(yàn)。同時,公司將繼續(xù)為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術(shù)BiCS2產(chǎn)品。
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