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傳京東方將進軍存儲芯片

近日,有韓國媒體“中央日報日文版”報道,我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進軍存儲器芯片行業(yè),引發(fā)市場關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推,今年以來包括存儲芯片在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè),熱度不斷升高,據(jù)悉積極爭取設(shè)立DRAM廠的地方政府已達6家。
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  近日,有韓國媒體“中央日報日文版”報道,我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進軍存儲器芯片行業(yè),引發(fā)市場關(guān)注。受到《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布以及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立等利好政策的助推,今年以來包括存儲芯片在內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè),熱度不斷升高,據(jù)悉積極爭取設(shè)立DRAM廠的地方政府已達6家。由于全球存儲產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)型期,加之市場廣闊,即使行業(yè)已趨于高度壟斷,如果政策到位、措施得當,未來中國切入存儲產(chǎn)業(yè),依然存在機會。

  

  中國積極介入存儲產(chǎn)業(yè)

  “作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品來說,它就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。”華芯半導體總裁高傳貴強調(diào)存儲產(chǎn)業(yè)重要性時向記者指出。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等息息相關(guān)。通信基帶芯片固然十分重要,也是目前中國IC行業(yè)取得重要進步的領(lǐng)域,但是其整個市場加起來也才300億美元左右,而全球存儲器市場卻高達800億美元,中國每年進口的存儲芯片就達600億美元。發(fā)展存儲器,可以說是戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)中的重要一環(huán)。

  因此,2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布之后,集成電路行業(yè)引發(fā)了一輪高速成長,發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)受到格外重視。今年3月武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體,便是中國向存儲產(chǎn)業(yè)進軍的重要一步。此外,2014年武漢新芯與美國飛索半導(Spansion)簽約,聯(lián)合研發(fā)生產(chǎn)3D NAND;中芯國際自主研發(fā)的38納米 NAND閃存工藝準備就緒,開始為客戶提供代工服務(wù)。這些都是中國在發(fā)展儲存產(chǎn)業(yè)時取得的進展。京東方進軍存儲產(chǎn)業(yè)則是這一背景下最新的一條消息。不過記者致電京東方,該公司給予了否定性的答復。盡管如此,中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的動力和信心已十分明顯。

  據(jù)悉,目前已有6家地方政府正在積極爭取設(shè)立DRAM廠,整合上游廠商發(fā)展出具中國自有技術(shù)并聯(lián)合中、下游的產(chǎn)業(yè),構(gòu)成一條龍的供應(yīng)鏈,形成群聚效應(yīng),進而推進中國半導體產(chǎn)業(yè)的進一步成長。

  韓國產(chǎn)業(yè)研究院(KIET)研究員Ju Dae-Yeon認為,液晶面板和半導體的工藝制程上有很多相似點。京東方進入存儲產(chǎn)業(yè)存在機會。DRAMeXchange統(tǒng)計顯示,2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金,占全球營業(yè)額約20%,龐大內(nèi)需就足以撐起中國DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

  從低容量存儲切入存機會

  當然,中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)并不容易。目前全球存儲業(yè)已經(jīng)進入高度壟斷時代。根據(jù)美光公司提供的一組數(shù)據(jù),2008年全球前五大存儲芯片公司,包括三星、海力士、美光、閃迪、爾必達,總營收為整個市場的75%。而過去12個月(美光2013年第三財季至2014年第二財季),全球前五大存儲芯片公司,包括三星、美光、SK海力士、東芝、閃迪,總營收已占整個市場的95%。在DRAM產(chǎn)業(yè)方面,三星、SK海力士、美光紛紛搶進20納米制程世代,業(yè)界原本預期20納米制程是DRAM產(chǎn)業(yè)最后一個制程世代,目前各家DRAM大廠又在積極投入研發(fā)1x納米制程,希望能夠突破瓶頸。在這樣的背景之下,包括京東方在內(nèi)的中國企業(yè)進入這個競爭激烈的存儲產(chǎn)業(yè)并不容易。

  對此,高傳貴指出,從產(chǎn)業(yè)機會上看,存儲產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)工藝進入20nm時代,雖然前進的腳步開始放慢,它仍在不斷發(fā)展進步,新技術(shù)、新工藝、新的產(chǎn)品形態(tài)不斷涌現(xiàn),工藝縮減,性能提高,功耗降低,仍然具有極大的市場活力,仍然擁有大量可以深入挖掘的發(fā)展空間。既然整體產(chǎn)業(yè)仍然還有如此之大的縱深,中國企業(yè)當然具有大量的發(fā)展機會。從市場機會上看,中國企業(yè)也完全有能力把DRAM做好。中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)基地,DRAM又是最接近用戶的電子零部件產(chǎn)品,而且技術(shù)工藝成熟,商業(yè)模式穩(wěn)定。雖然目前三星、現(xiàn)代、美光三大企業(yè)占據(jù)著主導地位,但是依然存在很大的市場空間,特別是在那些新興行業(yè)與細分市場里。

  另據(jù)市場人士指出,目前三星、東芝、海力士、美光全力搶攻高容量NAND Flash,退出低容量NAND Flash行列,但在物聯(lián)網(wǎng)快速崛起下,低容量NAND Flash需求暴增,開始呈現(xiàn)供不應(yīng)求的景況。這個市場空間可以成為中國企業(yè)進軍存儲市場的灘頭陣地。低容量NAND Flash芯片主要是指8Gb容量以下產(chǎn)品,主要應(yīng)用在電視、機上盒、功能型手機、車用電子等市場,國際大廠近年來把重心放在產(chǎn)值更大的高容量市場,陸續(xù)退出低容量芯片。

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