3月1日?qǐng)?bào)道：移動(dòng)硬盤讀寫速度太慢?隨身U盤容量不夠?電子標(biāo)簽逐一掃描費(fèi)時(shí)?這些日常生活中與數(shù)據(jù)相關(guān)的問題，其實(shí)都與“存儲(chǔ)器”有關(guān)。近日，復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院微電子學(xué)系江安全教授在高密度鐵電阻變存儲(chǔ)器(Ferro-RRAM)的研究中取得了重大進(jìn)展，一種讀寫速度更快、可靠性更強(qiáng)、體積更小的存儲(chǔ)器有望誕生。
據(jù)江安全教授介紹，鐵電存儲(chǔ)器最大的優(yōu)點(diǎn)在于讀寫速度快?！按騻€(gè)簡(jiǎn)單的比方，我們現(xiàn)在使用電腦讀取硬盤時(shí)，大量的時(shí)間耗費(fèi)在了數(shù)據(jù)交換上。相比現(xiàn)在使用廣泛的閃存硬盤以毫秒為單位的運(yùn)轉(zhuǎn)速度，鐵電存儲(chǔ)器可以達(dá)到幾十納秒，快了106倍，可廣泛應(yīng)用于高性能移動(dòng)數(shù)字設(shè)備和電腦中，大大提升了讀寫數(shù)據(jù)的效率?！?/P>
同時(shí)，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內(nèi)的存儲(chǔ)容量比現(xiàn)有的電容存儲(chǔ)器等有了巨大的提升空間。在未來，像現(xiàn)有U盤大小的存儲(chǔ)器可以有幾十G的存儲(chǔ)量，將不再是夢(mèng)想。
除了信息高密度存儲(chǔ)和快速擦寫特性，鐵電存儲(chǔ)器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點(diǎn)，具有極大的產(chǎn)業(yè)化潛力，尤其是在電子標(biāo)簽、移動(dòng)電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數(shù)碼相機(jī)等耗電少的電子產(chǎn)品中將率先得到應(yīng)用和發(fā)展。例如大家熟悉的“條形碼”，在不提高每個(gè)幾分錢成本的前提下，原本需要逐一掃描的條形碼可以成批同時(shí)掃描。
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