日前,美國(guó)美光科技宣布,與美國(guó)Sun Microsystems合作開(kāi)發(fā)出可大幅延長(zhǎng)面向企業(yè)的存儲(chǔ)壽命,基于2值(single level cell)技術(shù)的NAND閃存技術(shù)(英文發(fā)布資料)。該技術(shù)可制造能擦寫(xiě)100萬(wàn)次的元件。由此,此前因擦寫(xiě)次數(shù)限制而不能使用的閃存便可用于企業(yè)。該技術(shù)適用于SSD、存儲(chǔ)設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)裝置等。
美光科技已開(kāi)始樣品供貨使用該技術(shù)、最大32Gbit的企業(yè)用NAND閃存。預(yù)定2009年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)。并且,計(jì)劃09年投放使用34nm工藝技術(shù)的企業(yè)用NAND閃存的2值產(chǎn)品和多值(multi level cell)產(chǎn)品。