德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。

英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。

新器件的高功率密度允許設(shè)計人員升級現(xiàn)有設(shè)計，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。