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全新封裝技術(shù):面向單管IGBT的TRENCHSTOPAdvanced Isolation封裝

據(jù)悉,英飛凌推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT,確保一流的散熱性能并簡化制造流程。
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  據(jù)悉,英飛凌推出全新封裝技術(shù)TRENCHSTOP Advanced Isolation。TRENCHSTOP Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT,確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經(jīng)過性能優(yōu)化,可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應(yīng)用,如空調(diào)功率因數(shù)校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器等。

  常見的絕緣選擇, 像FullPAK或采用絕緣材料的標準TO封裝,其價格昂貴,較難加工。此外,它們不足以滿足最新推出的大功率密度IGBT的散熱需求。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation具有與標準TO-247封裝同樣的尺寸,但100%絕緣。不過,無需使用絕緣箔或?qū)峁柚?。得益于從IGBT晶圓到散熱器有效可靠的散熱路徑,該全新封裝具備更大功率密度。它提高了可靠性,并降低了系統(tǒng)和制造成本。

  由于不再需要使用絕緣材料和導熱硅脂,設(shè)計人員可以將裝配時間縮短達35%。與此同時,其通過消除錯位箔片提高了可靠性。該全新封裝的熱阻(Rth)比TO-247 FullPak低50%,比采用絕緣箔的標準TO-247低35%。這些改進都轉(zhuǎn)變成性能提升,相比采用FullPak封裝,工作溫度降低10° C。相比采用絕緣箔的標準TO-247,使用TRENCHSTOP™ Advanced Isolation封裝可將系統(tǒng)效率提高0.2個百分點。

  另外,該封裝具有僅38 pF的低耦合電容,這意味著抗電磁干擾(EMI)性能更佳,并有可能使用較小的濾波器。改進散熱特性還有助于提高可靠性,其原因在于IGBT可在較低溫度下工作,這可減輕對元器件的壓力。工作溫度降低還可減小散熱器件的尺寸,這有助于節(jié)省系統(tǒng)成本。另外,由于散熱要求有所降低,設(shè)計人員也可以選擇更高的設(shè)計裕度,實現(xiàn)更高功率密度。

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