許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如無(wú)線基站(遠(yuǎn)程無(wú)線電單元)、電源模塊和任何板載隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器。其他應(yīng)用包括工業(yè)領(lǐng)域，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、風(fēng)扇和暖通空調(diào)(HVAC)。這些應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。
安森美半導(dǎo)體的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級(jí)模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓?fù)?。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。
與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個(gè)典型的全橋方案約三分之一的PCB面積。這令制造商設(shè)計(jì)更緊湊、高能效的產(chǎn)品。物料單(BOM)器件的數(shù)量也顯著減少，實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈和裝配的高效。
如果PCB面積不是問(wèn)題，那FDMF8811可有助于在現(xiàn)有的PCB面積內(nèi)提高設(shè)計(jì)的輸出功率。例如，這可通過(guò)從現(xiàn)有的、本來(lái)低功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如有源鉗位正激、反激式或推拉式，轉(zhuǎn)為采用FDMF8811的半橋或全橋拓?fù)鋪?lái)實(shí)現(xiàn)。另一個(gè)例子是現(xiàn)有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉(zhuǎn)換為在相同的占板面積內(nèi)的一個(gè)全橋拓?fù)?。這種轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)的輸出功率加倍。
FDMF8811集成了一對(duì)100V的功率MOSFET、120 V驅(qū)動(dòng)器IC和一個(gè)自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。
通過(guò)集成所有的關(guān)鍵動(dòng)力傳動(dòng)元件，安森美半導(dǎo)體已經(jīng)能優(yōu)化該模塊的驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)寄生電感和功率MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著降低了供電回路的寄生效應(yīng)。這大大降低電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI)，提高系統(tǒng)的可靠性。
采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器被充分優(yōu)化，以在最佳能效水平達(dá)到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實(shí)在沒(méi)有理由再使用分立器件!
作者： Yu Meng，安森美半導(dǎo)體
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