較早前有消息稱，三星欲投資26.4億美元擴(kuò)充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能，生產(chǎn)10納米等級的DRAM。另，將在17線旁的停車場另蓋新廠，或用于生產(chǎn)7納米的系統(tǒng)半導(dǎo)體。該公司率先量產(chǎn)18納米DRAM，在電子制程上把競爭者拋在身后，其最有力的競爭者美光(Micron)和 SK 海力士(SK Hynix)也動作頻頻，呈追趕之勢。
三星連霸25年DRAM存儲器半導(dǎo)體市占率第一，在制程技術(shù)上領(lǐng)先對手約莫1~2年。2016年下半首先量產(chǎn)18納米DRAM，業(yè)界預(yù)估15納米可能是DRAM制程微縮的極限，三星計(jì)劃今年下半推進(jìn)至15納米。
從20納米等級轉(zhuǎn)進(jìn)10納米等級制程，縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩，而越接近電流外泄和電容器干擾更為明顯的15納米，三星未來將可能難以通過制程微縮拉大與競爭對手的差距。
與此同時(shí)，DRAM第三大廠美光拼命追趕，已于2017年Q1量產(chǎn)18納米DRAM，并計(jì)劃未來2、3年斥資20億美元，研發(fā)13納米 DRAM制程。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購買了多項(xiàng)高價(jià)生產(chǎn)儀器。進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。
另一家競爭對手SK 海力士，也準(zhǔn)備在今年下半量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設(shè)備用的18納米DRAM。與美光加速追趕以期彎道超車策略不同的是，SK 海力士穩(wěn)扎穩(wěn)打，優(yōu)先提高21納米制程良率，之后轉(zhuǎn)進(jìn)20納米、再轉(zhuǎn)向 18 納米。SK 海力士人員透露，該公司正在研發(fā)1y DRAM 制程，但是還不確定量產(chǎn)時(shí)間。
消息人士稱，三星打算在2017年底提高30% 18納米DRAM的生產(chǎn)比重。從以往策略來看，三星可能以利潤優(yōu)先，鮮少采用擴(kuò)產(chǎn)搶市打亂價(jià)格方式。
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