近日Vishay公布了年度“Super 12”明星產(chǎn)品名單。Vishay每年都會精選出采用新技術(shù)或者是改進技術(shù)的12個產(chǎn)品。在選擇標準上，12個重要半導(dǎo)體和無源元器件需要能滿足顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能，為各種應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的性能規(guī)格的要求?？梢哉f每年的“Super 12”精選產(chǎn)品都是Vishay廣泛產(chǎn)品組合的一次成績亮相。

　　2017年Super 12產(chǎn)品如下：

　　Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N溝道 TrenchFET功率MOSFET - 這顆汽車級MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK8x8L封裝，導(dǎo)通電阻低至3mΩ，可減小傳導(dǎo)損耗和功率損耗，提高效率，而且可以在+175℃高溫下工作。

　　Vishay T59系列vPolyTan多陽極聚合物表面貼裝片式電容器 - T59系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的專利多陣列包裝(MAP)，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的容值密度，同時保持25mΩ的最佳ESR。電容器采用模塑EE(7343-43)外形編碼，單位體積效率比類似器件高25%。

　　Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和環(huán)境光傳感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面貼裝封裝里組合了接近和環(huán)境光的光探測器、信號調(diào)理IC、16位ADC，以及最多支持3個外置IRED的驅(qū)動，可用于便攜式電子產(chǎn)品和智能家居中的手勢識別、工業(yè)和汽車應(yīng)用。

　　Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip檢流電阻 - WSLF2512的額定功率達6W，電阻芯的TCR低至±20ppm/℃，電阻值只有0.0003?，外形尺寸為2512，功率密度達到192W/平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率電路中能節(jié)省電路板空間。

　　Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保護二極管 - VTVSxxASMF系列器件是業(yè)內(nèi)首批實現(xiàn)2%雪崩擊穿電壓容差TVS，采用超薄SMF封裝，可承受400W、10/1000μs的高浪涌，適用于便攜式電子產(chǎn)品。

　　Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大電流電感器 - 汽車級IHLE-5A系列器件的外形尺寸為2525、3232和4040，采用能減小EMI的集成屏蔽，不需要使用分立的板級Faraday屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。

　　Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK穩(wěn)壓器 - SiC462集成了高邊和低邊MOSFET，在最高1MHz開關(guān)頻率下能連續(xù)輸出6A電流，可調(diào)的輸出電壓低至0.8V，輸入電壓為4.5V～60V。

　　Vishay MKP1847H交流濾波膜電容器 - MKP1847H經(jīng)過精心設(shè)計，能保證在各種工作條件下都保持極為穩(wěn)定的電容和ESR參數(shù)。該電容器非常適合高濕環(huán)境，是業(yè)內(nèi)首顆在額定電壓下完成1000小時的苛刻的耐濕性測試(85℃，85%相對濕度)的器件。

　　Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt Ultrafast整流器 - Vishay的這款超快整流器采用SMPD封裝，高度只有1.7mm，與TO-263封裝兼容。這顆器件通過AEC-Q101認證，可用于汽車和工業(yè)應(yīng)用，能在+175℃高溫下工作，恢復(fù)時間只有25ns。

　　Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A電感器 - IHXL-2000VZ-5A是業(yè)內(nèi)首顆通過AEC-Q200認證，在電感減小20%情況下飽和電流達到190A的電感器。器件的尺寸為50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其2000外形尺寸是這類復(fù)合材料電感器中最大的。

　　Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N溝道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的導(dǎo)通電阻低至0.58mΩ，可減少傳導(dǎo)功率損耗，提高功率密度，其典型柵極電荷為61nC，可實現(xiàn)高效的DC/DC轉(zhuǎn)換。

　　Vishay DCRF水冷功率繞線電阻 - DCRF電阻的功率耗散高達9000W，功率處理能力比相同尺寸采用自然冷卻的電阻高10倍。電阻采用小尺寸的模塊化設(shè)計，高過載承受能力(2倍標稱功率下保持60秒)。