資料顯示，由2013至2016年，除2015年外，每年DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)，都會(huì)對(duì)當(dāng)年整體IC市場(chǎng)產(chǎn)生顯著影響。以2016年為例，當(dāng)年DRAM市場(chǎng)規(guī)模年減8%，使得當(dāng)年整體IC市場(chǎng)規(guī)模僅年增4%。如果將DRAM排除不計(jì)的話，當(dāng)年IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度將會(huì)達(dá)到6%。
IC Insights表示，雖然2016年全球DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)分別年減12%與1%，但預(yù)估2017年DRAM與NAND Flash ASP將會(huì)分別大幅年增37%與22%。
ASP的大幅揚(yáng)升，不但會(huì)提振當(dāng)年DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模，也帶動(dòng)了全球整體IC市場(chǎng)規(guī)模的成長。
如果將DRAM與NAND Flash排除不計(jì)的話，估算2017年IC市場(chǎng)規(guī)模年增幅度將僅為4%。也就是說，2017年DRAM與NAND Flash市場(chǎng)的成長，在當(dāng)年整體IC市場(chǎng)的成長上，貢獻(xiàn)了7個(gè)百分點(diǎn)。
資料顯示，2016年4月DRAM ASP為2.41美元，然而2017年1月ASP已迅速揚(yáng)升至3.60美元，漲幅達(dá)49%。
預(yù)估2017年全球市場(chǎng)對(duì)DRAM儲(chǔ)存位元需求將會(huì)年增30%，但DRAM儲(chǔ)存位元產(chǎn)能只會(huì)成長20%。再加上，全球DRAM產(chǎn)量會(huì)因各廠商陸續(xù)改采20納米(含)以下工藝，而使供應(yīng)出現(xiàn)暫時(shí)性減緩，因此DRAM ASP的繼續(xù)攀高是可以預(yù)期的。
由于DRAM市場(chǎng)會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)勁成長，IC Insights預(yù)估，2017年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)573億美元，會(huì)超越應(yīng)用在PC與服務(wù)器等終端產(chǎn)品的微處理器(MPU)市場(chǎng)規(guī)模(471億美元)，而成為最主要的IC產(chǎn)品類別。
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