聯(lián)電廈門(mén)廠聯(lián)芯于去年底投產(chǎn)，主要采用40nm工藝，此次升級(jí)至28nm工藝將可提升其技術(shù)層次，加快搶攻手機(jī)芯片代工市場(chǎng)業(yè)務(wù)。
臺(tái)晶圓代工廠聯(lián)電(UMC)日前表示其28納米(28nm)工藝授予轉(zhuǎn)投資廈門(mén)子公司聯(lián)芯集成電路制造公司已獲批準(zhǔn)，預(yù)估今年第二季聯(lián)芯的28nm即可量產(chǎn)，將供應(yīng)國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)。
聯(lián)電廈門(mén)廠聯(lián)芯于去年底投產(chǎn)，主要采用40nm工藝，此次升級(jí)至28nm工藝將可提升其技術(shù)層次，加快搶攻手機(jī)芯片代工市場(chǎng)業(yè)務(wù)。聯(lián)芯預(yù)估28nm在今年第二季量產(chǎn)后，月產(chǎn)能將從現(xiàn)有的1.1萬(wàn)片擴(kuò)展至1.6萬(wàn)片。
在28nm技術(shù)轉(zhuǎn)移至聯(lián)芯后，聯(lián)電自主研發(fā)的下一代14nm鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)技術(shù)也宣布已進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段。該公司表示，出貨給主要客戶(hù)的14nm量產(chǎn)晶圓，良率已達(dá)高度先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)，并將運(yùn)用于開(kāi)拓嶄新的消費(fèi)電子產(chǎn)品應(yīng)用。
聯(lián)電14nm FinFET工藝速度較28奈米增快55%，閘密度則達(dá)兩倍，此外，功耗亦較28奈米減少約50%。此14奈米客戶(hù)芯片現(xiàn)正于聯(lián)華電子臺(tái)南的Fab 12A晶圓廠生產(chǎn)中，未來(lái)將因應(yīng)客戶(hù)需求，穩(wěn)步擴(kuò)充其14nm產(chǎn)能。
免責(zé)聲明：本站所使用的字體和圖片文字等素材部分來(lái)源于互聯(lián)網(wǎng)共享平臺(tái)。如使用任何字體和圖片文字有冒犯其版權(quán)所有方的，皆為無(wú)意。如您是字體廠商、圖片文字廠商等版權(quán)方，且不允許本站使用您的字體和圖片文字等素材，請(qǐng)聯(lián)系我們，本站核實(shí)后將立即刪除！任何版權(quán)方從未通知聯(lián)系本站管理者停止使用，并索要賠償或上訴法院的，均視為新型網(wǎng)絡(luò)碰瓷及敲詐勒索，將不予任何的法律和經(jīng)濟(jì)賠償！敬請(qǐng)諒解！
粵公網(wǎng)安備 44030402000264號(hào)
