CMOS圖像傳感器是一種典型的固體成像傳感器，與CCD有著共同的歷史淵源。CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器、時(shí)序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)..，下面將為大家詳細(xì)介紹“ cmos圖像傳感器圖片和工作原理”的相關(guān)內(nèi)容。
CMOS圖像傳感器是一種典型的固體成像傳感器，與CCD有著共同的歷史淵源。CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動(dòng)器、列驅(qū)動(dòng)器、時(shí)序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。其工作過(guò)程一般可分為復(fù)位、光電轉(zhuǎn)換、積分、讀出幾部分。下面為大家介紹cmos圖像傳感器圖片和工作原理。
cmos圖像傳感器圖片
CMOS圖像傳感器基本工作原理
首先，外界光照射像素陣列，發(fā)生光電效應(yīng)，在像素單元內(nèi)產(chǎn)生相應(yīng)的電荷。行選擇邏輯單元根據(jù)需要，選通相應(yīng)的行像素單元。行像素單元內(nèi)的圖像信號(hào)通過(guò)各自所在列的信號(hào)總線傳輸?shù)綄?duì)應(yīng)的模擬信號(hào)處理單元以及A/D轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)換成數(shù)字圖像信號(hào)輸出。其中的行選擇邏輯單元可以對(duì)像素陣列逐行掃描也可隔行掃描。行選擇邏輯單元與列選擇邏輯單元配合使用可以實(shí)現(xiàn)圖像的窗口提取功能。模擬信號(hào)處理單元的主要功能是對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大處理，并且提高信噪比。另外，為了獲得質(zhì)量合格的實(shí)用
攝像頭，芯片中必須包含各種控制電路，如曝光時(shí)間控制、自動(dòng)增益控制等。為了使芯片中各部分電路按規(guī)定的節(jié)拍動(dòng)作，必須使用多個(gè)時(shí)序控制信號(hào)。為了便于攝像頭的應(yīng)用，還要求該芯片能輸出一些時(shí)序信號(hào)，如同步信號(hào)、行起始信號(hào)、場(chǎng)起始信號(hào)等。[2]
象素陣列工作原理
圖像傳感器一個(gè)直觀的性能指標(biāo)就是對(duì)圖像的復(fù)現(xiàn)的能力。而象素陣列就是直接關(guān)系到這一指標(biāo)的關(guān)鍵的功能模塊。按照像素陣列單元結(jié)構(gòu)的不同，可以將像素單元分為無(wú)源像素單元PPS(passive pixel schematic)，有源像素單元APS(activepixel schematic)和對(duì)數(shù)式像素單元，有源像素單元APS又可分為光敏二極管型APS、光柵型APS.
以上各種象素陣列單元各有特點(diǎn)，但是他們有著基本相同的工作原理。以下先介紹它們基本的工作原理，再介紹各種象素單元的特點(diǎn)。下圖是單個(gè)象素的示意圖。
(1)首先進(jìn)入“復(fù)位狀態(tài)”,此時(shí)打開(kāi)門(mén)管M.電容被充電至V,二極管處于反向狀態(tài);
(2)然后進(jìn)人“取樣狀態(tài)”.這時(shí)關(guān)閉門(mén)管M,在光照下二極管產(chǎn)生光電流，使電容上存貯的電荷放電，經(jīng)過(guò)一個(gè)固定時(shí)間間隔后，電容C上存留的電荷量就與光照成正比例，這時(shí)就將一幅圖像攝入到了敏感元件陣列之中了;
(3)最后進(jìn)入“讀出狀態(tài)”.這時(shí)再打開(kāi)門(mén)管M,逐個(gè)讀取各像素中電容C上存貯的電荷電壓。
無(wú)源像素單元PPS出現(xiàn)得最早，自出現(xiàn)以來(lái)結(jié)構(gòu)沒(méi)有多大變化。無(wú)源像素單元PPS結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，像素填充率高，量子效率比較高，但它有兩個(gè)顯著的缺點(diǎn)。一是，它的讀出噪聲比較大，其典型值為20個(gè)電子，而商業(yè)用的CCD級(jí)技術(shù)芯片其讀出噪聲典型值為20個(gè)電子。二，隨著像素個(gè)數(shù)的增加，讀出速率加快，于是讀出噪聲變大。
光敏二極管型APS量子效率比較高，由于采用了新的消噪技術(shù)，輸出圖形信號(hào)質(zhì)量比以前有許多提高，讀出噪聲一般為75~100個(gè)電子，此種結(jié)構(gòu)的C3&適合于中低檔的應(yīng)用場(chǎng)合。
在光柵型APS結(jié)構(gòu)中，固定圖形噪聲得到了抑制。其讀出噪聲為10~20個(gè)電子。但它的工藝比較復(fù)雜，嚴(yán)格說(shuō)并不能算完全的CMOS工藝。由于多晶硅覆蓋層的引入，使其量子效率比較低，尤其對(duì)藍(lán)光更是如此。就目前看來(lái)，其整體性能優(yōu)勢(shì)并不十分突出。
上面是小編為大家介紹的有關(guān)cmos圖像傳感器圖片的參考和工作原理介紹。
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