隨著業(yè)界對高帶寬存儲(HBM)這類DRAM的大力投資，通用型DRAM的產(chǎn)能利用率相對較低，三星和SK海力士的產(chǎn)能利用率僅在80%到90%之間，與NAND閃存的全速生產(chǎn)形成鮮明對比，通用型DRAM內(nèi)存芯片可能面臨供應短缺的局面。
與HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手機、PC的內(nèi)存芯片，這一供應短缺的信號可能預示著DRAM內(nèi)存芯片的價格上漲。自2024年初以來，通用型DRAM的產(chǎn)能僅提升了大約10%，而智能手機、PC和服務器市場的增長率預計僅為2%到3%。全球云計算和科技公司在AI基礎設施上的投資削減，也未能顯著推動DRAM需求的復蘇。盡管業(yè)界對通用型DRAM需求反彈持謹慎樂觀態(tài)度，但這一可能性很大程度上取決于終端設備AI能力的普及程度。PC制造商和智能手機廠商，如三星和蘋果，正在積極探索AI技術在各自產(chǎn)品中的應用，以期帶動市場需求。
日前，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出“耐疲勞鐵電材料”，在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。中國科學家再次走在了世界前列。
鐵電材料因具有超快的讀寫速度、斷電后數(shù)據(jù)不丟失、以及超低功耗和抗輻照能力，是開發(fā)非易失性存儲芯片的理想材料之一。此外，其具有可切換的電極化，被認為是實現(xiàn)類腦智能器件和存算一體架構(gòu)的候選技術方案。然而，存儲芯片存在讀寫次數(shù)限制，不可避免的疲勞失效問題，導致鐵電材料存儲器的讀寫次數(shù)受限，阻礙了鐵電材料的實際應用。基于二維3R-MoS2滑移鐵電材料，團隊聯(lián)合提出一種性能優(yōu)異的抗疲勞鐵電系統(tǒng)。為解決鐵電材料領域長期存在的疲勞問題提供了一種全新途徑，有望推動該材料在鐵電存儲器及類腦智能芯片等方面應用。
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