據(jù)企查查、天眼查等APP顯示，近日，華為技術(shù)有限公司公開數(shù)種芯片技術(shù)相關(guān)專利，包括“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”、 “學(xué)位資源預(yù)測(cè)方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和芯片”和“基因比對(duì)技術(shù)”等。
其中，“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”專利用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。該專利公開號(hào)CN112309991A，申請(qǐng)日2019年7月26日，公開日2021年2月2日。
華為在專利說明書中表示，電子系統(tǒng)中的核心部件則為裸芯片，裸芯片結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性決定了電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，制備裸芯片，或?qū)β阈酒M(jìn)行封裝時(shí)，因受熱或受壓后容易出現(xiàn)裸芯片中膜層與膜層之間開裂，或者膜層斷裂，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
為了避免這種情況，芯片設(shè)計(jì)時(shí)將包含功能區(qū)和非功能區(qū)。非功能區(qū)有著第一加強(qiáng)件，會(huì)對(duì)裂紋實(shí)現(xiàn)延伸和阻擋作用。同時(shí)熱應(yīng)力可以下降 30%，減少裂紋出現(xiàn)的概率。這種芯片在晶圓加工時(shí)預(yù)留有切割道，在進(jìn)行芯片切割分離時(shí)可以防止因應(yīng)力產(chǎn)生裂紋的情況，提高生產(chǎn)良率。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片及其制備方法、電子設(shè)備，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。芯片，包括功能區(qū)和位于功能區(qū)外圍的非功能區(qū)，芯片包括：半導(dǎo)體基底；多層介電層，設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且介 電層的一部分位于非功能區(qū)；至少一個(gè)第一加強(qiáng)件，位于非功能區(qū)；第一加強(qiáng)件嵌入至少兩層介電層，且第一加強(qiáng)件與其嵌入的介電層相連接。
“基因比對(duì)技術(shù)”專利，公開號(hào)CN112309501A，申請(qǐng)日期為2019年10月。
該專利摘要顯示，所述基因比對(duì)技術(shù)可以應(yīng)用于包括光計(jì)算芯片的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。在執(zhí)行基因比對(duì)的過程中，可以先根據(jù)待測(cè)基因序列從基因數(shù)據(jù)庫中獲取第一組基因片段，所述第一組基因片段包括與所述待測(cè)基因序列的部分堿基匹配的多個(gè)參考基因片段。在獲得所述第一組基因片段后，可以將所述待測(cè)基因序列與所述第一組基因片段中的多個(gè)參考基因片段輸入所述光計(jì)算芯片進(jìn)行光學(xué)比對(duì)。該技術(shù)可以大幅度提升基因比對(duì)速度，減少基因比對(duì)次數(shù)。
“學(xué)位資源預(yù)測(cè)方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和芯片”專利公開號(hào)為“CN112308263A”。
專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N學(xué)位資源預(yù)測(cè)的方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)和芯片，涉及計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域。其中，該學(xué)位資源預(yù)測(cè)方法包括：從存儲(chǔ)器獲取預(yù)測(cè)區(qū)域的學(xué)位資源預(yù)測(cè)參數(shù)，并根據(jù)預(yù)設(shè)的學(xué)位資源預(yù)測(cè)模型對(duì)該預(yù)測(cè)區(qū)域的學(xué)位資源預(yù)測(cè)參數(shù)進(jìn)行處理，得到預(yù)測(cè)區(qū)域的學(xué)位資源需求信息，然后再呈現(xiàn)預(yù)測(cè)區(qū)域的學(xué)位資源需求信息。其中，上述學(xué)位資源預(yù)測(cè)參數(shù)包括人口數(shù)據(jù)、教育數(shù)據(jù)、經(jīng)濟(jì)發(fā)展數(shù)據(jù)和就業(yè)數(shù)據(jù)中的至少一種。本申請(qǐng)中通過包含多種參數(shù)的學(xué)位資源預(yù)測(cè)參數(shù)來確定預(yù)測(cè)區(qū)域的學(xué)位資源需求情況，能夠更好地進(jìn)行學(xué)位資源的預(yù)測(cè)，提高學(xué)位資源預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性。
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