高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側(cè)視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術(shù)，發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到82mW/sr
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側(cè)視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術(shù)，具有高發(fā)光強(qiáng)度和光功率，以及快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
Vishay Semiconductors的VSMY14940和VSMB14940高度極低，半強(qiáng)角只有±9°，非常適合空間受限的終端產(chǎn)品中的遙控應(yīng)用，如智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。另外，這些器件還可以用作光柵和煙霧探測(cè)器的高強(qiáng)度發(fā)射器。
基于GaAIAs表面發(fā)射器芯片技術(shù)，VSMY14940在70mA驅(qū)動(dòng)電流下實(shí)現(xiàn)了82mW/sr的極高發(fā)光強(qiáng)度，10ns的快速開(kāi)關(guān)時(shí)間，以及1.48V的正向電壓。在需要較低發(fā)光強(qiáng)度的應(yīng)用里，采用GaAIAs MQW的VSMB14940能夠提供35mW/sr的發(fā)光強(qiáng)度，15ns的開(kāi)關(guān)時(shí)間和低至1.33V的正向電壓。
今天推出的發(fā)光二極管符合RoHS和Vishay Green標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，無(wú)鉛，可采用溫度達(dá)260℃的無(wú)鉛焊接。器件可以在車(chē)間里存放168小時(shí)，潮濕敏感度等級(jí)(MSL)達(dá)到J-STD-020規(guī)定的3級(jí)。
器件規(guī)格表：
型號(hào)VSMY14940VSMB14940
技術(shù)GaAIAs, 表面發(fā)射器GaAIAs, MQW
發(fā)光強(qiáng)度 (mW/sr)8235
發(fā)光功率 (mW)4028
正向電壓 (V)1.481.33
開(kāi)關(guān)時(shí)間 (ns)1015
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