Vishay推25V N溝道TrenchFET Gen IV功率MOSFET

　　現(xiàn)在發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝，是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。

Vishay將參加POWER-GEN International2017

Vishay Intertechnology近日宣布，將參加全球最大的發(fā)電行業(yè)展會POWER-GEN International2017，并展出用于石油和天然氣、工業(yè)、鐵路和可再生能源電源系統(tǒng)的最新的網(wǎng)格和繞帶電阻。

Vishay推新款高速硅PIN光電二極管 采用小尺寸的頂視表面貼裝

　光電二極管的感光面積達到7.5mm2，VEMD5510C的感光范圍為440nm～700nm，VEMD5510CF的感光范圍為440nm～620nm，反向光電流分別為0.6μA和0.25μA。

Vishay推新型μDFN6封裝的單片SPDT模擬開關(guān)

Vishay Siliconix DG3257非常適合用在便攜式消費產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備中切換模擬和數(shù)字信號，在4.2V下的電阻為5Ω，并且提高了帶寬，減少了寄生電容，還有掉電保護功能。

Vishay推用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的新系列厚膜片式電阻

Vishay Intertechnology, Inc.近日推出用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的新系列厚膜片式電阻---RCA-HP e3。Vishay Draloric RCA-HP e3系列器件具有優(yōu)良的耐硫能力、出色的脈沖負載性能和高功率等級。

Vishay推TMBSTrench MOS勢壘肖特基整流器系列

Vishay擴展其用于能量采集的電力雙層儲能電容器

　　據(jù)悉，Vishay 宣布擴展其用于能量采集、備用電源和UPS電源的220 EDLC ENYCAP系列電力雙層儲能電容器。Vishay BCcomponents器件具有功率和儲能版本，穩(wěn)定性好，容值范圍寬，有16mm x 20mm到18mm x 40mm的8種小外形尺寸。

Vishay推新款磁性編碼位移傳感器 精度可與霍爾效應(yīng)器件媲美

　　據(jù)悉，Vishay近日推出新的磁性位置傳感器---RAME027，其精度可與霍爾效應(yīng)器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。一次可編程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度為±0.33%，高度只有27mm。典型應(yīng)用包括國防和工業(yè)用的操縱桿、電動執(zhí)行器、機械工具、紡織品制造、銑床和機器人。

Vishay推業(yè)界首款用于高頻RF和微波應(yīng)用的電容器

　　近日，Vishay 宣布推出業(yè)界首款用于高頻RF和微波應(yīng)用的表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列，其工作溫度范圍可以達到+200 C。對于通信基站和國防通信系統(tǒng)，Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四種緊湊型尺寸，都具有超高Q和低ESR。

Vishay推雙路直排式薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻 可實現(xiàn)比競爭器件更高精度

　據(jù)悉，Vishay推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本，擴充其采用25mil引腳間距QSOP封裝的OSOP系列表面貼裝雙路直排式薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻。Vishay Dale薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻提供隔離式，共用末位pin腳和定制的電路，電阻相對公差為±0.025%，相對TCR低至±5ppm ℃，可實現(xiàn)比競爭器件更高的精度。