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在相同的外形尺寸和熱閾值下,QDual3模塊能提供高出10%的功率
? 東芝(Toshiba)旗下的存儲與電子元器件解決方案公司日前發(fā)布采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器TLP5832,該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流,可直接驅(qū)動中級IGBT。
安森美半導(dǎo)體IGBT技術(shù)可滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電磁爐、電焊機和電機控制等各種不同應(yīng)用需求。
全新RC-E系列IGBT采用單片集成逆導(dǎo)二極管實現(xiàn)諧振開關(guān)。這有助于降低器件的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
節(jié)能環(huán)保趨勢對變頻器的要求日益提高。基于對中國市場客戶需求的理解,英飛凌(Infineon)推出全新Advantage 系列IGBT產(chǎn)品
獎項認可器件為大功率開關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立新的基準,實現(xiàn)了領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)標準,降低開關(guān)損耗,增強電源能效。
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